Des chercheurs ont mis au point une nouvelle approche pour fabriquer des transistors haute performance à l’aide de semi-conducteurs 2D. Cette méthode consiste à utiliser une combinaison de transfert direct induit par laser et de dépôt en phase vapeur à couches atomiques, ce qui donne des transistors aux performances et à l’efficacité améliorées. Cette percée pourrait conduire à des progrès dans l’électronique et l’informatique.
