Une équipe d’ingénieurs de l’Institut de microsystèmes et de technologie de Shanghai a créé un transistor à effet de champ (FET) révolutionnaire en deux dimensions qui réduit considérablement la consommation d’énergie. Cette innovation pourrait permettre aux smartphones de nécessiter moins de recharges fréquentes. En surmontant les défis liés à la fuite de grille et à la résistance diélectrique, les chercheurs ont utilisé une couche d’oxyde d’aluminium monocristallin pour améliorer la performance. Leur travail, publié dans *Nature*, marque une étape importante vers la miniaturisation des transistors en silicium pour des applications technologiques avancées, y compris la 5G et l’IoT.
